Wolfspeed C2M0160120D MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
196 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-5 В, +20 В
Ширина
5.21мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 20 В, 34 нКл при 5 В
Высота
21.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
3.3V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
196 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-5 В, +20 В
Ширина
5.21мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 20 В, 34 нКл при 5 В
Высота
21.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
3.3V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.