Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 C2M0080120D
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
208 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.7V
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Ширина
5.21мм
Материал транзистора
SiC
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
49,2 нКл при 20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
21.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
208 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.7V
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Ширина
5.21мм
Материал транзистора
SiC
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
49,2 нКл при 20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
21.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.