Wolfspeed C2M0080120D MOSFET

Код товара RS: 809-8991PБренд: WolfspeedПарт-номер производителя: C2M0080120D
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

208 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.7V

Максимальное рассеяние мощности

208 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +25 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

SiC

Типичный заряд затвора при Vgs

49,2 нКл при 20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed

P.O.A.

Wolfspeed C2M0080120D MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Wolfspeed C2M0080120D MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

208 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.7V

Максимальное рассеяние мощности

208 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +25 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

SiC

Типичный заряд затвора при Vgs

49,2 нКл при 20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed