Vishay SUM70040E-GE3 MOSFET

Код товара RS: 124-2248Бренд: VishayПарт-номер производителя: SUM70040E-GE3
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

9.65мм

Ширина

10.41мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

76 нКл при 10 В

Высота

4.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SUM70040E-GE3 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Vishay SUM70040E-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

9.65мм

Ширина

10.41мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

76 нКл при 10 В

Высота

4.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor