Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
65 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
84 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
90 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.652мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.826мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 3 021,72
тг 1 510,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 3 021,72
тг 1 510,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 98 | тг 1 510,86 | тг 3 021,72 |
| 100 - 198 | тг 1 153,26 | тг 2 306,52 |
| 200 - 398 | тг 1 130,91 | тг 2 261,82 |
| 400 - 798 | тг 1 108,56 | тг 2 217,12 |
| 800+ | тг 840,36 | тг 1 680,72 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
65 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
84 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
90 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.652мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.826мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
