Vishay N-Channel MOSFET, 65 A, 200 V, 3-Pin D2PAK SUM65N20-30-E3

Код товара RS: 818-7489Бренд: VishayПарт-номер производителя: SUM65N20-30-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

65 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

84 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Типичный заряд затвора при Vgs

90 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

9.652мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.826мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 3 021,72

тг 1 510,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 65 A, 200 V, 3-Pin D2PAK SUM65N20-30-E3
Select packaging type

тг 3 021,72

тг 1 510,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 65 A, 200 V, 3-Pin D2PAK SUM65N20-30-E3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 98тг 1 510,86тг 3 021,72
100 - 198тг 1 153,26тг 2 306,52
200 - 398тг 1 130,91тг 2 261,82
400 - 798тг 1 108,56тг 2 217,12
800+тг 840,36тг 1 680,72

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

65 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

84 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Типичный заряд затвора при Vgs

90 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

9.652мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.826мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor