Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
160 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 8 113,05
тг 1 622,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 8 113,05
тг 1 622,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 1 622,61 | тг 8 113,05 |
25 - 95 | тг 1 309,71 | тг 6 548,55 |
100 - 245 | тг 1 189,02 | тг 5 945,10 |
250 - 495 | тг 1 072,80 | тг 5 364,00 |
500+ | тг 961,05 | тг 4 805,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
160 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре