Vishay SUM110P06-08L-E3 MOSFET

Код товара RS: 710-5014Бренд: VishayПарт-номер производителя: SUM110P06-08L-E3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 8 113,05

тг 1 622,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SUM110P06-08L-E3 MOSFET

5

Доступно в кратности 5
5тг 8 113,05
10тг 16 226,10
15тг 24 339,15
20тг 32 452,20
25тг 32 742,75
30тг 39 291,30
35тг 45 839,85
40тг 52 388,40
45тг 58 936,95
50тг 65 485,50
55тг 72 034,05
60тг 78 582,60
65тг 85 131,15
70тг 91 679,70
75тг 98 228,25

тг 8 113,05

тг 1 622,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SUM110P06-08L-E3 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

5

Доступно в кратности 5
5тг 8 113,05
10тг 16 226,10
15тг 24 339,15
20тг 32 452,20
25тг 32 742,75
30тг 39 291,30
35тг 45 839,85
40тг 52 388,40
45тг 58 936,95
50тг 65 485,50
55тг 72 034,05
60тг 78 582,60
65тг 85 131,15
70тг 91 679,70
75тг 98 228,25

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 622,61тг 8 113,05
25 - 95тг 1 309,71тг 6 548,55
100 - 245тг 1 189,02тг 5 945,10
250 - 495тг 1 072,80тг 5 364,00
500+тг 961,05тг 4 805,25

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor