Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
230 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 5 788,65
тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 5 788,65
тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 1 157,73 | тг 5 788,65 |
25 - 95 | тг 947,64 | тг 4 738,20 |
100 - 245 | тг 862,71 | тг 4 313,55 |
250 - 495 | тг 844,83 | тг 4 224,15 |
500+ | тг 581,10 | тг 2 905,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
230 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре