Vishay SUM110P06-07L-E3 MOSFET

Код товара RS: 710-5060Бренд: VishayПарт-номер производителя: SUM110P06-07L-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

230 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 788,65

тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SUM110P06-07L-E3 MOSFET
Select packaging type

тг 5 788,65

тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SUM110P06-07L-E3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 157,73тг 5 788,65
25 - 95тг 947,64тг 4 738,20
100 - 245тг 862,71тг 4 313,55
250 - 495тг 844,83тг 4 224,15
500+тг 581,10тг 2 905,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

230 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor