Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin 8 x 8L SQJQ936EL-T1_GE3

Код товара RS: 280-0023Бренд: VishayПарт-номер производителя: SQJQ936EL-T1_GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

8 x 8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin 8 x 8L SQJQ936EL-T1_GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin 8 x 8L SQJQ936EL-T1_GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

8 x 8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний