Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 8-Pin SO Vishay SQJB42EP-T1_GE3

Код товара RS: 134-9154Бренд: VishayПарт-номер производителя: SQJB42EP-T1_GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SO

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

2

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, TrenchFET® Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 8-Pin SO Vishay SQJB42EP-T1_GE3

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 8-Pin SO Vishay SQJB42EP-T1_GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SO

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

2

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, TrenchFET® Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor