Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SO
Серия
TrenchFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 10 В
Ширина
5.26мм
Количество элементов на ИС
2
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Высота
1.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, TrenchFET® Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SO
Серия
TrenchFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 10 В
Ширина
5.26мм
Количество элементов на ИС
2
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Высота
1.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре