Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3

Код товара RS: 819-3920Бренд: VishayПарт-номер производителя: SQ4431EY-T1_GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

SQ Rugged

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

52 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 917,00

тг 245,85 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3
Select packaging type

тг 4 917,00

тг 245,85 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 245,85тг 4 917,00
100 - 480тг 227,97тг 4 559,40
500 - 1480тг 192,21тг 3 844,20
1500 - 2480тг 178,80тг 3 576,00
2500+тг 138,57тг 2 771,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

SQ Rugged

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

52 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor