Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 17 A, 40 V, 8-Pin SOIC SQ4401EY-T1_GE3

Код товара RS: 819-3917Бренд: VishayПарт-номер производителя: SQ4401EY-T1_GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

SQ Rugged

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

7,14 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

74 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.55мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 6 883,80

тг 688,38 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 17 A, 40 V, 8-Pin SOIC SQ4401EY-T1_GE3
Select packaging type

тг 6 883,80

тг 688,38 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 17 A, 40 V, 8-Pin SOIC SQ4401EY-T1_GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 688,38тг 6 883,80
100 - 490тг 625,80тг 6 258,00
500 - 1490тг 527,46тг 5 274,60
1500 - 2490тг 455,94тг 4 559,40
2500+тг 429,12тг 4 291,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

SQ Rugged

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

7,14 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

74 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.55мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor