P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2315ES-T1_GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
92 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.45V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,4 нКл при 4,5 В
Серия
SQ Rugged
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.02мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 280 | P.O.A. |
| 300 - 580 | P.O.A. |
| 600 - 1480 | P.O.A. |
| 1500 - 2980 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
92 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.45V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,4 нКл при 4,5 В
Серия
SQ Rugged
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.02мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре