Vishay TrenchFET® Gen III P-Channel MOSFET, 127.5 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS63DN-T1-GE3

Код товара RS: 200-6849Бренд: VishayПарт-номер производителя: SiSS63DN-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

127,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

TrenchFET® Gen III

Тип корпуса

PowerPAK 1212-8S

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0,007 O, 0,0027 O, 0,0036 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Vishay TrenchFET® Gen III P-Channel MOSFET, 127.5 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS63DN-T1-GE3

P.O.A.

Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Vishay TrenchFET® Gen III P-Channel MOSFET, 127.5 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS63DN-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

127,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

TrenchFET® Gen III

Тип корпуса

PowerPAK 1212-8S

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0,007 O, 0,0027 O, 0,0036 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Количество элементов на ИС

1