Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3

Код товара RS: 768-9307PБренд: VishayПарт-номер производителя: SISA04DN-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

52 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +20 В

Ширина

3.15мм

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

52 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +20 В

Ширина

3.15мм

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor