Vishay TrenchFET Dual N/P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual SiS590DN-T1-GE3

Код товара RS: 228-2925PБренд: VishayПарт-номер производителя: SiS590DN-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerPAK 1212-8

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.167 O, 0.251 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5 V, 2.5 V

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay TrenchFET Dual N/P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual SiS590DN-T1-GE3
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay TrenchFET Dual N/P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual SiS590DN-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerPAK 1212-8

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.167 O, 0.251 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5 V, 2.5 V

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2