Vishay TrenchFET Dual N/P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual SiS590DN-T1-GE3

Код товара RS: 228-2924Бренд: VishayПарт-номер производителя: SiS590DN-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.167 O, 0.251 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5 V, 2.5 V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Vishay TrenchFET Dual N/P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual SiS590DN-T1-GE3

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Vishay TrenchFET Dual N/P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual SiS590DN-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.167 O, 0.251 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5 V, 2.5 V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний