Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Серия
ThunderFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
18,1 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.4мм
Длина
3.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.12мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Серия
ThunderFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
18,1 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.4мм
Длина
3.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.12мм
Информация о товаре