N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3

Код товара RS: 787-9383Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIS468DN-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

52 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18,1 нКл при 10 В

Ширина

3.4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.12мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 810,35

тг 362,07 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 810,35
10тг 3 620,70
15тг 5 431,05
20тг 7 241,40
25тг 9 051,75
30тг 10 862,10
35тг 12 672,45
40тг 14 482,80
45тг 16 293,15
50тг 16 539,00
55тг 18 192,90
60тг 19 846,80
65тг 21 500,70
70тг 23 154,60
75тг 24 808,50

тг 1 810,35

тг 362,07 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 810,35
10тг 3 620,70
15тг 5 431,05
20тг 7 241,40
25тг 9 051,75
30тг 10 862,10
35тг 12 672,45
40тг 14 482,80
45тг 16 293,15
50тг 16 539,00
55тг 18 192,90
60тг 19 846,80
65тг 21 500,70
70тг 23 154,60
75тг 24 808,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Лента
5 - 45тг 362,07тг 1 810,35
50 - 245тг 330,78тг 1 653,90
250 - 995тг 290,55тг 1 452,75
1000 - 2995тг 232,44тг 1 162,20
3000+тг 223,50тг 1 117,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

52 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18,1 нКл при 10 В

Ширина

3.4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.12мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor