Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
22 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
117 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
22 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
117 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре