Vishay SIRA90DP-T1-RE3 MOSFET

Код товара RS: 134-9165Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIRA90DP-T1-RE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

102 нКл при 10 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SIRA90DP-T1-RE3 MOSFET

P.O.A.

Vishay SIRA90DP-T1-RE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

102 нКл при 10 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor