N-Channel MOSFET, 34.4 A, 200 V, 8-Pin SO Vishay SIR690DP-T1-RE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
34,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
SO
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
39 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
104 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.26мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
31,9 нКл при 10 В
Высота
1.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
34,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
SO
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
39 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
104 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.26мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
31,9 нКл при 10 В
Высота
1.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре