N-Channel MOSFET, 65 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR668DP-T1-RE3

Код товара RS: 134-9725Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIR668DP-T1-RE3
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

65 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,05 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Высота

1.12мм

Серия

TrenchFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 65 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR668DP-T1-RE3
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 65 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR668DP-T1-RE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

65 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,05 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Высота

1.12мм

Серия

TrenchFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor