N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR632DP-T1-RE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
41 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
69,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.26мм
Длина
6.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
41 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
69,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.26мм
Длина
6.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре