Vishay SIR632DP-T1-RE3 MOSFET

Код товара RS: 134-9159Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIR632DP-T1-RE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

29 А

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

69,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SIR632DP-T1-RE3 MOSFET

P.O.A.

Vishay SIR632DP-T1-RE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

29 А

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

69,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor