N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin SO Vishay SIR626DP-T1-RE3

Код товара RS: 134-9720Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIR626DP-T1-RE3
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SO

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

68 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.12мм

Серия

TrenchFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin SO Vishay SIR626DP-T1-RE3
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin SO Vishay SIR626DP-T1-RE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SO

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

68 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.12мм

Серия

TrenchFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor