Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5708DP-T1-RE3

Код товара RS: 268-8332Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIR5708DP-T1-RE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

33.8 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5708DP-T1-RE3

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5708DP-T1-RE3
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

33.8 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

Страна происхождения

China