N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR462DP-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
4,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.89мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.04мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 20 | P.O.A. |
| 25 - 95 | P.O.A. |
| 100 - 245 | P.O.A. |
| 250 - 495 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
4,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.89мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.04мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре