Vishay N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR418DP-T1-GE3

Код товара RS: 814-1275PБренд: VishayПарт-номер производителя: SIR418DP-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

23 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

39 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.26мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR418DP-T1-GE3
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR418DP-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

23 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

39 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.26мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor