Vishay N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR416DP-T1-GE3

Код товара RS: 814-1272Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIR416DP-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

27 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

69 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

59 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.26мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 2 860,80

тг 286,08 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR416DP-T1-GE3
Select packaging type

тг 2 860,80

тг 286,08 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR416DP-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 290тг 286,08тг 2 860,80
300 - 590тг 272,67тг 2 726,70
600 - 1490тг 268,20тг 2 682,00
1500 - 2990тг 263,73тг 2 637,30
3000+тг 259,26тг 2 592,60

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

27 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

69 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

59 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.26мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor