N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Серия
D Series
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
850 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
156 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.51мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
4.65мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.01мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 245 | P.O.A. |
| 250 - 995 | P.O.A. |
| 1000 - 4995 | P.O.A. |
| 5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Серия
D Series
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
850 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
156 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.51мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
4.65мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.01мм
Информация о товаре