N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3

Код товара RS: 787-9181Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIHP8N50D-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

D Series

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.51мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Ширина

4.65мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.01мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 720,95

тг 344,19 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
Select packaging type

тг 1 720,95

тг 344,19 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 344,19тг 1 720,95
50 - 245тг 308,43тг 1 542,15
250 - 995тг 245,85тг 1 229,25
1000 - 4995тг 227,97тг 1 139,85
5000+тг 223,50тг 1 117,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

D Series

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.51мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Ширина

4.65мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.01мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor