Vishay SIHP8N50D-GE3 MOSFET

Код товара RS: 165-7113Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIHP8N50D-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

D Series

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.65мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.51мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SIHP8N50D-GE3 MOSFET

P.O.A.

Vishay SIHP8N50D-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Вас может заинтересовать
N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

D Series

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.65мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.51мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)