Vishay SIHP065N60E-GE3 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
E Series
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.51мм
Типичный заряд затвора при Vgs
49 нКл при 10 В
Ширина
4.65мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
15.49мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
E Series
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.51мм
Типичный заряд затвора при Vgs
49 нКл при 10 В
Ширина
4.65мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
15.49мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).