Vishay SIHH26N60E-T1-GE3 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
PowerPAK 8 x 8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
135 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
202 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Длина
8.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
77 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
8.1мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1мм
Серия
E Series
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
PowerPAK 8 x 8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
135 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
202 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Длина
8.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
77 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
8.1мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1мм
Серия
E Series
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).