Vishay E Series N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC SiHG47N60E-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
E Series
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
64 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
357 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Типичный заряд затвора при Vgs
147 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
5.31мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.7мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 4 040,88
тг 4 040,88 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 4 040,88
тг 4 040,88 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 4 040,88 |
| 25 - 249 | тг 3 383,79 |
| 250 - 499 | тг 3 285,45 |
| 500 - 999 | тг 3 151,35 |
| 1000+ | тг 3 066,42 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
E Series
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
64 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
357 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Типичный заряд затвора при Vgs
147 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
5.31мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.7мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).