Vishay P-Channel MOSFET, 2 A, 200 V, 3-Pin D2PAK SIHF9620S-GE3

Код товара RS: 815-2660Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIHF9620S-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 157,10

тг 415,71 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 2 A, 200 V, 3-Pin D2PAK SIHF9620S-GE3
Select packaging type

тг 4 157,10

тг 415,71 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 2 A, 200 V, 3-Pin D2PAK SIHF9620S-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 415,71тг 4 157,10
100 - 240тг 411,24тг 4 112,40
250 - 490тг 402,30тг 4 023,00
500 - 990тг 393,36тг 3 933,60
1000+тг 384,42тг 3 844,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor