Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 4 157,10
тг 415,71 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 4 157,10
тг 415,71 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 90 | тг 415,71 | тг 4 157,10 |
100 - 240 | тг 411,24 | тг 4 112,40 |
250 - 490 | тг 402,30 | тг 4 023,00 |
500 - 990 | тг 393,36 | тг 3 933,60 |
1000+ | тг 384,42 | тг 3 844,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре