N-Channel MOSFET, 5.3 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP Vishay SIHF5N50D-E3

Код товара RS: 787-9159Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIHF5N50D-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,3 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

D Series

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.63мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.8мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 631,55

тг 326,31 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 5.3 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP Vishay SIHF5N50D-E3
Select packaging type

тг 1 631,55

тг 326,31 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 5.3 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP Vishay SIHF5N50D-E3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 326,31тг 1 631,55
50 - 245тг 299,49тг 1 497,45
250 - 995тг 254,79тг 1 273,95
1000 - 4995тг 214,56тг 1 072,80
5000+тг 196,68тг 983,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,3 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

D Series

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.63мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.8мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor