Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
123 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
39 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.63мм
Типичный заряд затвора при Vgs
80 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
16.12мм
Серия
EF Series
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
2
P.O.A.
Стандартная упаковка
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
123 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
39 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.63мм
Типичный заряд затвора при Vgs
80 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
16.12мм
Серия
EF Series
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре