Vishay SiHF28N60EF-GE3 MOSFET

Код товара RS: 178-0896Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIHF28N60EF-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

28 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

EF Series

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

123 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

39 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.63мм

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Высота

16.12мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SiHF28N60EF-GE3 MOSFET

P.O.A.

Vishay SiHF28N60EF-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

28 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

EF Series

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

123 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

39 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.63мм

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Высота

16.12мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor