Vishay SIHD3N50D-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

D Series

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.22мм

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.38мм