N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V, 3-Pin DPAK Vishay SIHD3N50D-GE3

Код товара RS: 787-9143Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIHD3N50D-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

D Series

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.38мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SIHD3N50D-GE3 MOSFET
Vishay SIHD3N50D-GE3 MOSFETБренд: Vishay
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 318,65

тг 263,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V, 3-Pin DPAK Vishay SIHD3N50D-GE3

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 318,65
10тг 2 637,30
15тг 3 955,95
20тг 5 274,60
25тг 6 593,25
30тг 7 911,90
35тг 9 230,55
40тг 10 549,20
45тг 11 867,85
50тг 11 845,50
55тг 13 030,05
60тг 14 214,60
65тг 15 399,15
70тг 16 583,70
75тг 17 768,25

тг 1 318,65

тг 263,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V, 3-Pin DPAK Vishay SIHD3N50D-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 318,65
10тг 2 637,30
15тг 3 955,95
20тг 5 274,60
25тг 6 593,25
30тг 7 911,90
35тг 9 230,55
40тг 10 549,20
45тг 11 867,85
50тг 11 845,50
55тг 13 030,05
60тг 14 214,60
65тг 15 399,15
70тг 16 583,70
75тг 17 768,25

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 263,73тг 1 318,65
50 - 245тг 236,91тг 1 184,55
250 - 995тг 183,27тг 916,35
1000 - 2995тг 156,45тг 782,25
3000+тг 151,98тг 759,90
Вас может заинтересовать
Vishay SIHD3N50D-GE3 MOSFET
Vishay SIHD3N50D-GE3 MOSFETБренд: Vishay
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

D Series

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.38мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SIHD3N50D-GE3 MOSFET
Vishay SIHD3N50D-GE3 MOSFETБренд: Vishay
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)