N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay SIDR638DP-T1-RE3

Код товара RS: 200-6839Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIDR638DP-T1-RE3
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

TrenchFET® Gen IV

Тип корпуса

PowerPAK SO-8DC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0,00088 O, 0,00116 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay SIDR638DP-T1-RE3

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay SIDR638DP-T1-RE3
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

TrenchFET® Gen IV

Тип корпуса

PowerPAK SO-8DC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0,00088 O, 0,00116 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Количество элементов на ИС

1