Vishay SiC530CD-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 124-2250Бренд: VishayПарт-номер производителя: SiC530CD-T1-GE3
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Тип корпуса

PowerPAK MLP4535

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

22

Номер канала

Поднятие

Ширина

3.5мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

4.5мм

Высота

0.75мм

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

SiC530, 30A VRPower Integrated Power Stage

The SiC530 is an integrated MOSFET power stage optimised for synchronous buck converter applications.

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SiC530CD-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Vishay SiC530CD-T1-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Тип корпуса

PowerPAK MLP4535

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

22

Номер канала

Поднятие

Ширина

3.5мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

4.5мм

Высота

0.75мм

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

SiC530, 30A VRPower Integrated Power Stage

The SiC530 is an integrated MOSFET power stage optimised for synchronous buck converter applications.

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor