Vishay SIA416DJ-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 165-6297Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIA416DJ-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerPAK SC-70

Серия

ThunderFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Максимальное рассеяние мощности

19 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

2.15мм

Длина

2.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,5 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.75мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SIA416DJ-T1-GE3 MOSFET

P.O.A.

Vishay SIA416DJ-T1-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerPAK SC-70

Серия

ThunderFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Максимальное рассеяние мощности

19 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

2.15мм

Длина

2.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,5 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.75мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor