Vishay Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI9945BDY-T1-GE3

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,3 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

72 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China