Vishay P-Channel MOSFET, 3.8 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

Код товара RS: 818-1444Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI9407BDY-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

150 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.55мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 989,80

тг 299,49 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 3.8 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3
Select packaging type

тг 5 989,80

тг 299,49 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 3.8 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 299,49тг 5 989,80
100 - 480тг 227,97тг 4 559,40
500 - 1480тг 201,15тг 4 023,00
1500 - 2480тг 160,92тг 3 218,40
2500+тг 156,45тг 3 129,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

150 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.55мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor