Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
MICRO FOOT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
82 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
17,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.268мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
MICRO FOOT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
82 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
17,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.268мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре