Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3

Код товара RS: 919-4334Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI7288DP-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

15,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3

P.O.A.

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

15,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor