Vishay SI7288DP-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 818-1390PБренд: VishayПарт-номер производителя: SI7288DP-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

15,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay SI7288DP-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay SI7288DP-T1-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

15,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor