Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Длина
5.99мм
Типичный заряд затвора при Vgs
90 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.07мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 4 291,20
тг 214,56 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 4 291,20
тг 214,56 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
20 - 280 | тг 214,56 | тг 4 291,20 |
300 - 580 | тг 192,21 | тг 3 844,20 |
600 - 1480 | тг 165,39 | тг 3 307,80 |
1500 - 2980 | тг 147,51 | тг 2 950,20 |
3000+ | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Длина
5.99мм
Типичный заряд затвора при Vgs
90 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.07мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре