Vishay P-Channel MOSFET, 18 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7149ADP-T1-GE3

Код товара RS: 818-1393Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI7149ADP-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

90 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Toshiba TPC8114(TE12L,Q) МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 291,20

тг 214,56 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 18 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7149ADP-T1-GE3
Select packaging type

тг 4 291,20

тг 214,56 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 18 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7149ADP-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 280тг 214,56тг 4 291,20
300 - 580тг 192,21тг 3 844,20
600 - 1480тг 165,39тг 3 307,80
1500 - 2980тг 147,51тг 2 950,20
3000+тг 129,63тг 2 592,60
Вас может заинтересовать
Toshiba TPC8114(TE12L,Q) МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

90 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Toshiba TPC8114(TE12L,Q) МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)